삼성 전자는 18일, "10nm FinFET" 프로세스로 제조 된 "S-RAM(Static-Random Access Memory)" 개발에 성공했다고 발표했다.
현재 미국 인텔과 대만 TSMC는 각각 "14nm Tri-gate(FinFET)"과 "16nm FinFET" 프로세스를 이용하여 S-RAM을 생산하고 있기 때문에, 이번 발표를 통해 삼성 전자는 반도체 제조업의 강력한 라이벌 2개 업체를 크게 앞서는 상황...
삼성에 따르면, 대량 생산은 2017년 상반기에 시작될 예정이라고 하고, 그 외 이 제품의 용량은 128MB가 되어, 14nm FinFET 공정으로 만들어진 기존 제품에 비해 셀 면적을 약 37.5%를 줄일 수 있다라는 것이다.
그 외, 이 신형 S-RAM에 대한 자세한 내용은 내년 1월 31일부터 2월 4일까지 개최되는 반도체에 관한 국제 회의 "ISSCC 2016"에서 발표 할 예정으로 되어있다.
또한, 이번에 삼성은 "평면 구조"를 채용하는 14nm FinFET 프로세스 기반의 NAND 플래시 메모리 개발에 성공했다고 발표했다.
이것은 세계에서 가장 미세화 된 공정을 사용하는 평면형 NAND 플래시 메모리가 되지만, 한편으로 이미 도시바와 미국 샌 디스크 등은 "평면 구조를 유지하면서 15~16nm 이하 공정을 미세화하는 것은, 성능 향상 및 경제적 인 관점에서 이익이 없다"라고 단념, "3D 구조"를 채용하는 NAND 플래시 메모리 개발에 주력 할 것을 분명히 하고 있다.
S-RAM과 평면형 NAND 플래시 메모리의 두 분야에서 명실공히 업계 최고의 기술을 보유하게 된 삼성. 이번 발표가 격전을 벌이는 라이벌들에게 준 충격은 과연 미미한 것에 지나지 않을까? 인텔과 TSMC 등의 동향을 포함한 업계 전체가 어떻게 움직일런지 매우 흥미로운 상황이다.
